N沟道增强型150A/40V MOSFET

  海飞乐技术150N04A8，N沟道增强型MOSFET，电压40V，电流150A，内阻3.0mΩ。采用先进的沟槽技术和设计，以提供优秀的导通电阻，低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用。包装形式为TO-220AB，符合RoHS标准。
 
150N04A8特点：
快速开关
低门电荷和导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
150N04A8应用：
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型150A/40V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型150A/40V MOSFET电参数  
N沟道增强型150A/40V MOSFET特性曲线图  
  在测量MOSFET的DS的电压时候，要保证正确的测量方法。
  (1)如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号。
  (2)带宽的问题，测量输出电压纹波的时候，通常用20MHZ的带宽，但是，测量MOSFET的VDS电压时候，用多少带宽才是正确的测量方法?事实上，如果用不同的带宽，测量到的尖峰电压的幅值是不同的。具体原则是：
  ①确定被测量信号的最快上升Tr和下降时间Tf;
  ②计算最高的信号频率：f=0.5/Tr，Tr取测量信号的10%~90%;f=0.4/Tr，Tr取测量信号的20%~80%;
  ③确定所需的测量精确度，然后计算所需的带宽。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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