N沟道增强型35A/600V MOSFET

  海飞乐技术35N60AN是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET，它可以降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-3P(N)，符合RoHS标准。
 
35N60AN特点：
快速开关
ESD能力提升
低栅极电荷(140nC)
低反向传输电容(80pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
 
35N60AN应用：
电源开关电路
 
N沟道增强型35A/600V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型35A/600V MOSFET电参数  
N沟道增强型35A/600V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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