27A/800V高压MOSFET应用参数

  MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但常用的是增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。关于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。缘由是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普遍都用NMOS。
  海飞乐27N80A47，硅N沟道27A/800V增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-247，符合RoHS标准。
 
27N80A47特点：
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
27N80A47应用：
电源开关电路
 
27A/800V高压MOSFET绝对值参数  
27A/800V高压MOSFET电特性  
MOSFET的防静电使用技巧
  一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOSFET的栅极-源极间最大额定电压约为±20V，如果驱动电压超出这个范围，就很有可能永久损坏MOSFET，主要是因为MOSFET输入阻抗大特点，电荷不能及时的流走，积聚在门极(G)，就会造成Vgs大于这个±20V的范围，这时候MOSFET就可能损坏。这就是为什么一定不准用手去摸MOSFET的引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOSFET一下子就被击穿了。
  记住，不要用手拿住MOSFET的腿，不然可很不专业。为了防止MOSFET被静电破坏，大家也是费尽脑汁，除了严格按照规章制度外，带上放电手套，电烙铁接地等等都是必要的。
  静电问题往往是MOSFET的薄弱处。在电路设计中应该怎么来保护MOSFET呢？既然Vgs不能大于20V，那我们就可以在G和S之间，加一个20V的稳压管，来防止干扰脉冲或是静电破坏MOSFET。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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