N沟道72A/500V超结功率MOSFET

  海飞乐技术FN80N50B是采用自对准超结技术的硅N沟道功率MOSFET，它可以降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为SOT-227，符合RoHS标准。
 
FN80N50B特点：
快速开关
低导通电阻
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN80N50B应用：
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
 
N沟道72A/500V超结功率MOSFET绝对值参数  
N沟道72A/500V超结功率MOSFET电参数  
功率MOSFET的IDM -脉冲漏极电流参数
  该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
  ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。  
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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