P沟道增强型4A/30V功率MOSFET

  海飞乐技术3401K硅P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，降低栅极电荷及导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可作小电流开关用，使系统小型化，效率更高。包装形式为SOT-23，符合RoHS标准。
 
3401K特点：
RDS(ON) <55mΩ @ VGS=10V
超低导通损耗的高密度单元设计
完全表征的雪崩电压和电流
极好的散热封装
 
3401K应用：
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
逆变、保护、信号、小电机
 
P沟道增强型4A/30V功率MOSFET绝对值参数  
P沟道增强型4A/30V功率MOSFET电参数  
P沟道增强型4A/30V功率MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！
 



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