P沟道100A/60V MOSFET

  海飞乐技术100P06A0采用先进的沟槽工艺技术，硅P沟道增强型功率MOSFET，低栅极电荷降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-263，符合RoHS标准。
 
100P06A0特点：
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
100P06A0应用：
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
应急电源
电机
 
P沟道100A/60V MOSFET绝对值参数  
P沟道100A/60V MOSFET电参数  
P沟道100A/60V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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