N沟道增强型120A/100V MOSFET

  海飞乐技术120N10AD，N沟道增强型MOSFET，电压100V，电流120A，内阻5mΩ。采用独特优化的超级沟道技术，提供最高效的高频开关性能，有低导通电阻，低反向传输电容、低栅极电荷、低开关功率损耗等优点。应用于电机、控制器、逆变器、UPS等领域。包装形式为QFN5*6，符合RoHS标准。
 
120N10AD特点：
RDS(ON) <5mΩ @ VGS=10V
超低导通损耗的高密度单元设计
完全表征的雪崩电压和电流
极好的散热封装
 
120N10AD应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
 
N沟道增强型120A/100V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型120A/100V MOSFET电参数  
N沟道增强型120A/100V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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