N沟道增强型80A/100V MOSFET

  海飞乐技术场效应管80N10A8采用了独特优化的超级沟槽技术，提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的极低组合，使导通和开关功率损耗都得到了最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。包装形式为TO-220AB，符合RoHS标准。
 
 
80N10A8特点：
RDS(ON) <8mΩ @ VGS=10V
超低导通损耗的高密度单元设计
完全表征的雪崩电压和电流
极好的散热封装
 
80N10A8应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
 
N沟道增强型80A/100V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型80A/100V MOSFET电参数  
N沟道增强型80A/100V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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