N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET

  海飞乐技术D1515是采用自对准平面技术的硅N沟道耗尽型MOSFET，它可以降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可用于开关启动保护，使系统小型化，效率更高。包装形式为SOT-23，符合RoHS和无卤素标准。
 
D1515特点：
N-通道
ESD改善能力
耗尽型
额定dv/dt
无铅电镀；符合RoHS标准
无卤
 
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET绝对值参数  
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET电参数  
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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