N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET

  海飞乐3N170FA9，硅N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET，采用自对准平面技术，降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量，具有开关速度高、功耗低、热稳定性好、工艺简单等特点。该MOSFET管可用于各种功率开关电路，开关电源、驱动马达、家用电器等领域。使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
 
3N170FA9特点：
快速切换
低导通电阻
门控电荷低，开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验
 
3N170FA9应用：
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
3N170FA9绝对值参数  
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET电参数  
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET特性曲线图  
使用MOSFET注意事项
  MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自VCC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势（电磁感应定律），其方向与VCC方向相同（楞次定律），承受的最大电压为VCC与感生电动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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