软恢复二极管和快恢复二极管有何区别?

作者：海飞乐技术时间：2018-04-17 17:34

广泛应用于功率电路中的PIN二极管具有较高的反向耐压，而且在通过正向大电流密度的情况下，由于基区电导调制效应，正向压降较小。为了提高耐压，传统PIN二极管采用深扩散缓变结构，造成关断前存在着大量存贮电荷使得反向恢复时间延长；为了减小压降，这种高压二极管通常又需要设计成基区穿通结构，以减薄基区，从而使得反向恢复特性更硬，越来越不适应电力电子技术的发展。为了缩短二极管的反向恢复时间，提高反向恢复软度，同时使得二极管具有较高的耐压，在传统PIN二极管的基础上，增加一个N型缓冲基区是一个较好的解决办法。即二极管的基区由基片的轻掺杂N -衬底区及较重掺杂的N区组成。该二极管的反向恢复软度因子提高到了1.0左右，较传统的PIN二极管有了较大改善。

所有的PN结二极管，在传导正向电流时，都将以少子的形式储存电荷。少子注入是电导调制的机理，它导致正向压降（VF）的降低，从这个意义上讲，它是有利的。但是当在导通的二极管上加反向电压后，由于导通时在基区存贮有大量少数载流子，故到截止时要把这些少数载流子完全抽出或是中和掉是需要一定时间的，即反向阻断能力的恢复需要经过一段时间，这个过程就是反向恢复过程，发生这一过程所用的时间定义为反向恢复时间（trr）。

反向恢复过程短的二极管称为快恢复二极管（Fast Recovery Diode）。高频化的电力电子电路要求快恢复二极管的反向恢复时间短，反向恢复电荷少，并具有软恢复特性。

软恢复二极管也是快恢复二极管的一种。不过一般软恢复二极管在反向恢复的时候，反向电流下降较慢，反向恢复时间更快。反向恢复软度因子更高。

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