FA57SA50LC现货报价_参数_替换资料

  MOSFET即金属-氧化物-半导体型场效应管，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
 
  MOSFET主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
 
FA57SA50LC
  FA57SA50LC是Vishay第三代高压MOSFET模块，采用SOT-227封装的功率模块，采用全隔离式封装并具有低导通电阻、动态dV/dt额定值以及低漏极电容的功率MOSFET。提供快速切换时间，加固装置设计，可降低热电阻和能源损耗。适用于600W~1000W的工商业应用。
 
FA57SA50LC特性
SOT-227封装
全隔离式封装
简单易用，并联工作
低导通电阻
动态dV/dt额定值
完全雪崩额定值
驱动要求简单
低漏极电容
符合工业标准设计
VS-FCx单开关功率MOSFET：
较低的开关和导通损耗
 
FA57SA50LC技术参数资料
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合  
技术: Si
电压：500V
电流：72A
安装风格: Chassis Mount
封装/箱体: SOT-227-4
封装: Tube
高度: 12.3 mm  
长度: 38.3 mm  
系列: VS-FA  
宽度: 25.7 mm  
工厂包装数量: 160  
子类别: MOSFETs  
单位重量: 30 g
 
FA57SA50LC封装尺寸

 
FA57SA50LC替换资料
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