1200V碳化硅MOSFET系列选型

作者：海飞乐技术时间：2019-08-09 17:20

SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比，较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

海飞乐技术SiC MOSFET在开发与应用方面，实现了传统型半导体(Si)实现不了的低损耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。

产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。