超结场效应管COOLMOS参数选型
作者：海飞乐技术 时间：2019-10-25 17:44
COOL MOS 也叫超结场效应管SJ-MOS(super junction mosfet)。 一种基于电子科技大学陈星弼院士发明专利，打破传统功率MOSFET理论极限，被国际上盛誉为功率MOSFET领域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年问世并很快走向市场。Cool-MOS由于采用新的耐压层结构，在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时，又有着极低的导通损耗。
海飞乐技术超结场效应管COOLMOS参数选型表
海飞乐技术COOLMOS的主要优点：
1. 通态阻抗小，通态损耗小。
由于Cool-MOS的Rdson远远低于VDMOS，在系统电源类产品中Cool-MOS的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗，提高了系统产品的效率，Cool-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上，优势表现的尤为突出。
2. 同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高。
首先，同等电流以及电压规格条件下，Cool-MOS的晶源面积要小于VDMOS工艺的晶源面积，这样作为MOS的厂家，对于同一规格的产品，可以封装出来体积相对较小的产品，有利于电源系统功率密度的提高。
其次，由于Cool-MOS的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗，因为这些损耗都是以热量的形式散发出去，我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS单体的温升，使其保证在合适的温度范围内。由于Cool-MOS可以有效的减少发热量，减小了散热器的体积，对于一些功率稍低的电源，甚至使用Cool-MOS后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。
3. 栅电荷小，对电路的驱动能力要求降低。
传统VDMOS的栅电荷相对较大，我们在实际应用中经常会遇到由于IC的驱动能力不足造成的温升问题，部分产品在电路设计中为了增加IC的驱动能力，确保MOSFET的快速导通，我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路，从而增加了电路的复杂性。Cool-MOS的栅电容相对比较小，这样就可以降低其对驱动能力的要求，提高了系统产品的可靠性。
4. 节电容小，开关速度加快，开关损耗小。
由于Cool-MOS结构的改变，其输出的节电容也有较大的降低，从而降低了其导通及关断过程中的损耗。 同时由于Cool-MOS栅电容也有了响应的减小，电容充电时间变短，大大的提高了Cool-MOS的开关速度。对于频率固定的电源来说，可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上，效果更加明显。
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