IRFB4110PBF现货参数应用及PDF资料下载

  IRFB4110PBF N沟道MOSFET，180A 100V 3.7mΩ，TO-220封装。具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率。主要应用于开关电源、不间断电源和硬开关高频电路等。
 
IRFB4110PBF应用
SMPS高效同步整流技术
不间断电源
高速开关电源
硬开关高频电路
 
IRFB4110PBF特性
改进的门极、雪崩和动态dV/dt稳定性
充分表征电容和雪崩SOA
增强型体二极管dv/dt和di/dt能力
无铅，符合RoHS
 
IRFB4110PBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:180 A
Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:150 nC
Pd-功率耗散:370 W
Vgs -栅极-源极电压:±20 V
工作温度范围:- 55℃~+ 175℃
尺寸大小:15.65mm×10 mm×4.4 mm
单位重量:6 g
 
IRFB4110PBF其他参数

 
IRFB4110PBF特性曲线图  
 
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