快恢复二极管和肖特基二极管区别

快恢复二极管与肖特基二极管通过外观无法辨别，通过电路符号可区分。性能上肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右，肖特基二极管的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，超高速！电特性当然都是二极管。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。下面是快恢复二极管与肖特基二极管详细对比区别：
 
快恢复二极管和肖特基二极管外观上的区别
 

    如图所示同封装类型的快恢复二极管和肖特基二极管外观上区别基本上是一样的，要从外观上区分只能看管体上的标识。
 
 
    电路中的快恢复二极管和肖特基二极管只用看电路符号就可以区别：     如图：肖特基二极管有特定的符号，快恢复二极管符号与普通二极管一致。
 
快恢复二极管和肖特基二极管结构上的区别   如图所示：
  快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
   肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼，。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
 
快恢复二极管和肖特基二极管应用性能的对比
 
反向恢复时间
   快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。  
 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
 
  击穿电压
   肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V，最高仅约100V，限制其使用，快恢复二极管反向峰值可以到几百到几千伏，因此像在开关电源变压器次级用100V以上的高频整流二极管等只有使用快速恢复（UFRD）。
 
正向导通压
  快恢复二极管有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
 
  肖特基正向导通压降仅0.4V左，快回复二级馆0.6伏， 总的来说，由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
 
 
 



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