碳化硅在微波二极管中的应用

  点接触式探测二极管是发展最早的器件之一，是一种将金属点压在半导体表面的简单结构。1906年，Henry Harrison Chase Dunwoody获得了无线电报系统的专利，这个系统应用了一种探测无线电波的氮化镓晶体，发现者将其称为“微波响应器”。图1显示了这个专利在晶体上附加电极的几种方法。通常，这种探测器的晶体表面点接触连接通过很小的导线(触须线)，而另一端的大面积接触通常采用低熔点合金。氮化镓探测器需要电压偏置，而且灵敏度比方铅矿低，但是它的机械稳定性高，可以被调整和焊接封装在管壳中，如图2所示。通过这种方法制造的器件可以看成是点接触肖特基二极管。这种采用传统半导体制造，用于混频器或探测器的二极管，仍然是微波接收器中广泛应用的半导体器件。这种器件虽然被称为SIC“微波响应器”，但工作频率100kHz，与微波频率范围相差甚远。尽管如此，它仍被作为氮化镓微波二极管的先驱。

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