1000A/100V MOS模块

 
1000A/100V MOS模块性能与应用
  海飞乐技术有限公司1000A/100V MOS模块，使用低电感外壳，DBC隔离铜基板，低通态压降，开关特性好，使用寿命长，结构牢固，可以提高效率、功率密度和频率，可靠性高。应用于电动汽车、UPS设备、等离子切割、机器人等领域。
 
1000A/100V MOS模块特点
低导通阻抗
优化体二极管反向恢复特性
低电感外壳避免振荡
开尔文电源终端易于驱动
DBC隔离铜基板
 
1000A/100V MOS模块应用
电动汽车驱动装置
电动车
UPS设备
等离子切割
机器人直流伺服驱动
 
1000A/100V MOS模块最大额定值TC= 25℃
VDSS漏源电压:  100V
VGSS栅源电压: ±20V
ID持续漏极电流@TC=25℃：1000A；@TC=80℃：620A
IF二极管正向电流：1000A
PD功率耗散@Tj=175℃： 1630W
Tjmax最高结温：175℃
Tj工作结温： -40~150℃
Tstg储存温度： -40~150℃
VISO隔离电压f=50Hz,t=1min:  2500V
 
1000A/100V MOS模块电气特性  
1000A/100V MOS模块特性曲线图  
1000A/100V MOS模块封装结构与尺寸图  
  MOS发热情况有：
  1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
  2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
  3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
  4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
 
 
 
  海飞乐技术MOS模块采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！
 
 



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