大电流1360A/100V MOSFET模块

 
 
1360A/100V MOSFET模块性能与应用
  海飞乐技术有限公司1360A/100V MOSFET模块，使用低电感外壳，DBC隔离铜基板，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、低通态压降，开关特性好，易于集成等特性。应用于电动汽车、UPS设备、等离子切割、机器人等领域。
 
1360A/100V MOSFET模块特点
低导通阻抗
优化体二极管反向恢复特性
低电感外壳避免振荡
开尔文电源终端易于驱动
DBC隔离铜基板
 
1360A/100V MOSFET模块应用
电动汽车驱动装置
电动车
UPS设备
等离子切割
机器人直流伺服驱动
 
1360A/100V MOSFET模块最大额定值参数 TC= 25℃
VDSS漏源电压:  100V
VGSS栅源电压: ±20V
ID持续漏极电流@TC=25℃：1360A；@TC=80℃：1050A
IF二极管正向电流：1360A
PD功率耗散@Tj=175℃： 2000W
Tjmax最高结温：175℃
Tj工作结温： -40~150℃
Tstg储存温度： -40~150℃
VISO隔离电压f=50Hz,t=1min:  2500V
 
1360A/100V MOSFET模块电气特性  
1360A/100V MOSFET模块特性曲线图  
1360A/100V MOSFET模块封装结构与尺寸图  
  MOSFET管脚测定方法：
  ①栅极G的测定：用万用表R×100 档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω)，该两脚是D、S，第三脚为G。
  ②漏极D、源极S及类型判定：用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2 ×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：
a．若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ)，则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。
b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。
 
 
 
  海飞乐技术MOSFET模块采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！
 



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