N沟道600V/12mA耗尽型MOSFET

  MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。海飞乐高压大功率VDMOS(增强型和耗尽型MOSFET)具有开关速度快、输入阻抗大、热稳定性好等等优点，是工程师们很好的选择。
  海飞乐F501DA4，硅N沟道600V/12mA耗尽型MOSFET，采用自对准平面技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于启动保护等。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
 
F501DA4特点：
N沟道
ESD能力提升
耗尽型
dv/dt额定值
无铅电镀；符合RoHS
无卤
 
F501DA4绝对值参数  
F501DA4电气特性  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多耗尽型MOSFET及相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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