N沟道38A/1000V增强型MOSFET

  海飞乐38N100A，硅N沟道38A/1000V增强型MOSFET，采用自对准平面技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为SOT-227，符合RoHS标准。
 
38N100A特点：
快速切换
ESD能力提升
低门电荷
反向传输能力低
100%单脉冲雪崩能量试验
 
38N100A应用：
电源开关电路
 
N沟道38A/1000V增强型MOSFET绝对值参数  
N沟道38A/1000V增强型MOSFET特性曲线图  
MOSFET的防静电使用技巧
  一般在MOSFET的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOSFET 的栅极-源极间最大额定电压约为±20V,如果驱动电压超出这个范围,就很有可能永久损坏MOSFET,主要是因为MOSFET 输入阻抗大特点,电荷不能及时的流走,积聚在门极(G),就会造成Vgs大于这个±20V 的范围,这时候MOSFET 就可能损坏。这就是为什么一定不准用手去摸MOSFET 的引脚的原因,手上的静电高达千伏,MOSFET 一下子就被击穿了。
  记住,不要用手拿住MOSFET 的腿,不然可很不专业。为了防止MOSFET 被静电破坏,大家也是费尽脑汁,除了严格按照规章制度外,带上放电手套,电烙铁接地等等都是必要的。
  静电问题往往是MOSFET 的薄弱处。在电路设计中应该怎么来保护MOSFET 呢?既然Vgs 不能大于20V,那我们就可以在G 和S 之间,加一个20V的稳压管,来防止干扰脉冲或是静电破坏MOSFET。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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