600A/35V肖特基二极管

 
600A/35V肖特基二极管性能与应用
 肖特基二极管简称SBD。当金属与半导体接触时，费米能级的匹配要求，导致了金属与半导体之间电荷转移的势垒，通常叫肖特基势垒，它是由于金属和半导体的功函数不同而产生的。肖特基二极管就是利用肖特基势垒的整流特性做成的，它与pn结二极管有几乎相向的等效电路，相似的伏安特性，其电容和耗尽层宽度的计算与单边突变结是一样的。
  海飞乐技术600A/35V肖特基二极管模块，具有以下优点：特别低的正向压降；高耐冲击电流能力；低反向恢复时间；开关损耗小；转换时间短。因此，肖特基二极管成为开关电源的关键部件，提高效率和使用频率，减少电路噪声。
 
600A/35V肖特基二极管特点
反向恢复电压：Vrrm=35V
低正向电压降：VF（typ.）=0.4V
平均正向电流：IF（AV.）=600A @Tc=100℃
超快速反向恢复时间：Trr（typ.）=80ns
减少电磁干扰与开关损耗
非绝缘型封装
 
600A/35V肖特基二极管应用
逆变焊机
不间断电源
开关电源
电机驱动
大功率转换器
 
600A/35V肖特基二极管主要参数  
600A/35V肖特基二极管电特性  
600A/35V肖特基二极管特性曲线图  
600A/35V肖特基二极管封装结构与尺寸图  
快恢复二极管和肖特基二极管结构上的区别   快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
 
  肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性（阻挡层）金属材料是钼，。二氧化硅用来消除边缘区域电场，提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍，具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
 
 
 
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