45A/900V高压MOSFET参数应用

   有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
  海飞乐FN45N90A，硅N沟道45A/900V增强型MOSFET，采用自对准平面技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为SOT-227，符合RoHS标准。
 
FN45N90A特点：
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN45N90A应用：
电源开关电路
 
45A/900V高压MOSFET绝对值参数  
45A/900V高压MOSFET电特性  
45A/900V高压MOSFET特性曲线图  
  MOSFET的性能参数有哪些？
  优质的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下，能够看它能接受的最大电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号，我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。 还要阐明的是，温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步，MOS管需求接受的电流也随着加强，提供近百A的电流已经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安，高质量主板也开始为MOS管加装散热片了。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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