N沟道增强型12A/60V MOSFET

  海飞乐技术1S12N06LA4，N沟道增强型MOSFET，电压60V，电流12A，内阻58mΩ。采用先进的沟槽技术和设计，以提供优秀的导通电阻，低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
 
1S12N06LA4特点：
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
1S12N06LA4应用：
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型12A/60V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型12A/60V MOSFET电参数  
N沟道增强型12A/60V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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