N沟道增强型90A/70V MOSFET

  海飞乐技术90N07A8，N沟道增强型MOSFET，电压70V，电流90A，内阻6.8mΩ。采用先进的沟槽技术和设计，有快速开关，低导通电阻，低反向传输电容、低栅极电荷等优点。应用于小电机、应急电源、不间断电源、去频闪等领域。包装形式为TO-220，符合RoHS标准。
 
90N07A8特点：
RDS(ON) <8mΩ @ VGS=10V (Typ6.8mΩ)
超低导通损耗的高密度单元设计
完全表征的雪崩电压和电流
极好的散热封装
 
90N07A8应用：
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
 
N沟道增强型90A/70V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型90A/70V MOSFET电参数  
N沟道增强型90A/70V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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