N沟道增强型660A/40V MOSFET

海飞乐技术FN660N04A是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用超结沟道技术，它可以降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路中，使系统小型化，提高效率。包装形式为SOT-227B，符合RoHS标准。
 
 
FN660N04A特点：
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN660N04A应用：
电源开关电路
电机
逆变器
控制器
 
N沟道增强型660A/40V MOSFET绝对值参数  
N沟道增强型660A/40V MOSFET电参数  
N沟道增强型660A/40V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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