N沟道4A/1000V增强型MOSFET

  海飞乐4N100FA9，硅N沟道4A/1000V增强型MOSFET，采用自对准平面技术，可降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
 
4N100FA9特点：
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量试验
 
4N100FA9应用：
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
N沟道4A/1000V增强型MOSFET绝对值参数  
N沟道4A/1000V增强型MOSFET电参数  
N沟道4A/1000V增强型MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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