4H-SIC碳化硅二极管的高温特性

  通过仿真不同温厦4H-SIC pn结二极管的正向I-V特性，可以较好的研究4H-SIC pn结二极管的高温特性，对4H-SIC pn结二极管高温特性的研究有重要意义。如图1所示。

  SiC碳化硅材料和器件优于si材料的一大特性就是耐高温，因此图1针对不同温度下的SIC碳化硅二极管的正向特性进行了对比。在T=300K时，理想工作区(即扩散区)电压范围约在1.7V~2.6V，SIC二极管的理想因子n为1~1.25。在T=400K时，理思工作区电压范围在1.4V-2.4V，SIC二极管的理想因子n为1.3~1.7。在T=500K时，电压在1.4V~2.1V，SIC二极管近似工作在少子扩散区，其理想因子n为1.5~1.7。在T=600K时，电压在1.4V-1.8V，SIC碳化硅二极管近似工作在扩散区，其理想因子n为1.7~1.8，随着电压的增加，理想因子n逐渐增大至2，主要由于空间电荷区的复合作用影响。随着电压增加，电流逐渐达到饱和状态。由于SIC二极管通过的电流随温度迅速增加，因此改变温度，SIC碳化硅二极管比同类型二极管获得更小的相同功率下的工作电压，因而更加有效。研究结果进行列表总结见下表。


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