4H-SIC碳化硅二极管的理想因子

  二极管正向工作曲线分为小电流区，少于扩散区，以及大电流复合区三部分。图1 选取了不同区域下n-T对比图，I区为小电流区过渡到扩散区阶段，Ⅱ区为二极管少子扩散区阶段，Ⅲ区为随着电压增加，扩散区过渡到大电流区阶段。

 
  对于理想因子n=1，说明电流主要由中性区的少数截流子扩散引起的。正偏压注入载流子穿越空间电荷区，使得空间电荷区截流子浓度可能超过平衡位。因而，空间电荷层中会有非平衡载流子复合产生的电流，即空间电荷区正偏复合电流。对于n=2，说明是由于电流受到空间电荷区复合过程的限制。随着温度升高，SIC二极管扩散区的理想因子n在1~2之间呈缓慢上升趋势，体现了其耐高温特性，理想因子n越接近于l，工作状态最为理想。



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