IRF1404PBF现货参数应用及PDF资料下载

  英飞凌IR第七代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术，具有极低的导通电阻。IRF1404PBF这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
 
IRF1404PBF应用
  TO-220封装的IRF1404PBF普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF1404PBF得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF1404适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF1404的通孔安装版，适合较低端的应用。
 
IRF1404PBF特性
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175℃工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
 
IRF1404PBF基本参数
极性: N沟道  
漏源电压Vds: 40V  
Id-连续漏极电流: 202A  
在电阻RDS（on）: 4mOhms
封装类型: TO-220AB  
安装: 通孔  
栅极-源极电压Vgs :±20 V
功耗Pd: 333W  
针脚数: 3引脚  
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
最小工作温度:- 55℃
工作温度最高值: 175℃  
产品类型: 功率MOSFET  
 
IRF1404PBF电力特性

 
IRF1404PBF特性曲线图  
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