IRF6645TR1PBF现货参数应用及PDF资料下载

IRF6645TR1PBF应用
  IRF6645PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进DirectFETTM封装相结合，具有极低的导通电阻。封装外形为Micro8，尺寸仅为0.7mm。DirectFET封装与电力应用中使用的现有布局结构兼容。DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高功率系统中的热传输，改进后热阻可提高80%。
  IRF6645PbF针对隔离DC-DC应用中的一次侧桥拓扑进行了优化，适用于宽范围通用输入电信应用（36V-75V），和调节DC-DC拓扑中的二次侧同步整流进行了优化。减少了装置的总损耗，再加上高水平的热性能，可以实现高效率和低温，提高系统可靠性，使该器件成为高性能隔离DC-DC变换器的理想选择。
 
IRF6645TR1PBF特性
符合RoHS
无铅（合格温度高达260℃回流焊）
高性能隔离转换器的理想选择
同步整流优化
低导通损耗
双面冷却兼容
与现有表面贴装技术兼容
 
IRF6645TR1PBF基本参数
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
安装风格: SMD/SMT 
封装/箱体: DirectFET-SJ 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100V 
Id-连续漏极电流: 5.7 A 
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: ±20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压:  4.9 V 
Qg-栅极电荷: 14 nC 
最大工作温度: + 150℃
Pd-功率耗散: 42 W 
高度: 0.7 mm 
长度: 4.85 mm 
宽度: 3.95 mm 
正向跨导-最小值: 7.4 S 
下降时间: 5.1 ns 
上升时间: 5 ns 
工厂包装数量: 1000 
单位重量: 500 mg 
 
IRF6645TR1PBF电力特性

 
IRF6645TR1PBF特性曲线  
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