IXFN66N50Q2应用参数及替换

  IXFN66N50Q2是IXYS 500V/66A高压MOSFET，SOT-227封装。主要应用于高压AC DC电源，直流斩波，脉冲发生器等，产品具有高功率密度及易于安装的优点，使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
 
IXFN66N50Q2特性
低栅电阻的双金属工艺
用氮化铝隔离
无箝位感应开关（UIS）额定值
低封装电感
快速本征整流器
 
IXFN66N50Q2应用
DC-DC转换器
开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
脉冲发生器
 
MOSFET场效应管IXFN66N50Q2技术参数资料
制造商:IXYS
Vgs -栅极-源极电压:-±30 V
安装风格:Chassis Mount
封装/箱体:SOT-227-4
工作温度范围:- 55℃~+ 150℃
尺寸:9.6 mmx38.2 mmx25.07 mm
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
下降时间:12 ns
Id-连续漏极电流:66 A
Pd-功率耗散:735 W
Rds On-漏源导通电阻:74 mOhms
上升时间:16 ns
典型关闭延迟时间:60ns
典型接通延迟时间:32ns
Vds-漏源极击穿电压:500 V
单位重量:30 g
 
IXFN66N50Q2特性曲线图

 
海飞乐技术500V 66A功率MOSFET模块参数  
IXFN66N50Q2替换资料
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