IRFP064NPBF现货参数应用及PDF资料下载

IRFP064NPBF应用
  英飞凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术，并以坚固耐用著称的HEXFET设计，具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率，使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  对于更高功率要求的工业应用，TO-247比TO-220封装更加合适。他的隔离安装孔与之前的TO-218封装类似。TO-247与早期的TO-218封装相似，但由于其独立的安装孔而优于它。
 
IRFP064NPBF特性
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175℃工作温度
快速开关
完全雪崩额定值
 
IRFP064NPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:55V
Id-连续漏极电流:110A
Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms
Vgs -栅极-源极电压:-±20V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8V
Qg-栅极电荷:170nC
工作温度范围:- 55℃~ 175℃
Pd-功率耗散:200 W
尺寸:20.7 mmx15.87 mmx5.31 mm
工厂包装数量:400
单位重量:5.600 g
 
IRFP064NPBF电力特性

 
IRFP064NPBF特性曲线图  
 
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