IRFB38N20DPBF现货参数应用及PDF资料下载

  场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

IRFB38N20DPBF特性及应用
  IRFB38N20DPBF是38A 200V场效应管，封装为TO-220。产品具有低栅漏电荷可降低开关损耗，充分表征电容有效COSS简化设计及完全表征雪崩电压和电流。主要应用于高频DC-DC变换器，等离子显示屏等领域。
 
IRFB38N20DPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:44 A
Rds On-漏源导通电阻:54 mOhms
Vgs -栅极-源极电压:-±30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:91 nC
工作温度范围:- 55℃~175℃
Pd-功率耗散:3.8 W
尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
正向跨导-最小值:17 S
下降时间:47 ns
上升时间:95 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:29 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:6 g
 
IRFB38N20DPBF其他参数

 
IRFB38N20DPBF特性曲线图  
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