IR2010STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

  IR2010是一款高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低压侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，用于最小驱动器交叉传导。传输延迟被匹配以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达200伏。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术加固单片结构。
 
IR2010STRPBF特性
为引导操作设计的浮动通道
在200V下完全运行
耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
闸门驱动电源范围为10至20V
两通道均具有欠压锁定
3.3V逻辑兼容
独立逻辑电源电压范围3.3V~20V
逻辑和电源接地±5V偏移
CMOS触发输入结构具有下拉功能
关闭控制输入功能，可使两路驱动器全部关断
两信道的匹配传播延迟
输出与输入同相
 
IR2010STRPBF应用
转换器
直流电机驱动
 
IR2010STRPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:门驱动器
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-16
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:3 A
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
配置:Non-Inverting
上升时间:20 ns
下降时间:25 ns
最大工作温度:+ 150 C
尺寸:2.35 mmx10.5 mmx7.6 mm
逻辑类型:CMOS, LSTTL
传播延迟—最大值:135 ns
关闭:Shutdown
最大关闭延迟时间:65 ns
最大开启延迟时间:95 ns
工作电源电流:230 uA
Pd-功率耗散:1.25 W
单位重量:666 mg
 
IR2010STRPBF静电特性

 
IR2010STRPBF详细应用信息  
 
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