IR2103STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

  IR2013(S)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立高、低压侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
 
IR2103STRPBF特性
为引导操作设计的浮动通道
工作电压高达600V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
栅极驱动电源范围10~20V
欠压锁定
3.3V、5V和15V逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
相互匹配可控的延迟时间
内部设定死区时间
高压侧输出与HIN输入同相
低电平输出与LIN输入异相
 
IR2103STRPBF应用
转换器
直流电机驱动
 
IR2103STRPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:门驱动器
类型:High Side, Low Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:360 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:170 ns
下降时间:90 ns
工作温度范围:- 40℃~+125℃
尺寸:1.5mm×5mm×4mm
逻辑类型:CMOS, TTL
传播延迟-最大值:60 ns
最大关闭延迟时间:220 ns
最大开启延迟时间:820 ns
Pd-功率耗散:625 mW
产品类型:Gate Drivers
单位重量:540 mg
 
IR2103STRPBF静电特性

 
IR2103STRPBF详细应用信息  
 
IR2103STRPBF深圳仓进口原装现货，更多相关产品信息及报价请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！
 
IR2103STRPBF  PDF资料下载



上一篇：IR2010STRPBF现货参数应用及PDF资料下载
下一篇：IRF6811STRPBF现货参数应用及PDF资料下载