IRFP4227PBF现货参数应用及PDF资料下载

IRFP4227PBF应用
  IRFP4227PBF是HEXFET功率MOSFET，专门为等离子体显示面板中的持续能量恢复通过开关应用而设计的。采用最新的处理技术，以实现每硅面积的低导通电阻和低脉冲额定值。具有175℃的工作结温度和高重复峰值电流能力。这些特性结合在一起，使这种MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用、可靠的器件。

IRFP4227PBF特性
先进工艺技术
为PDP维持优化的关键参数，
能量回收和通路开关应用
低脉冲额定值以降低功率
PDP维持、能量回收和通过开关应用中的耗散
低QG快速响应
高重复峰值电流能力，运行可靠
快速切换，下降和上升时间短
175℃工作结温度，提高耐用性
重复雪崩能力，鲁棒性和可靠性
D类音频放大器300W-500W（半桥）
 
IRFP4227PBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:65 A
Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:±30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:70 nC
工作温度范围:- 40℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:330 W
尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
正向跨导-最小值:49 S
下降时间:31 ns
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:33 ns
单位重量:38 g
 
IRFP4227PBF电力特性

 
IRFP4227PBF特性曲线图  
 
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