IRFP260MPBF现货参数应用及PDF资料下载

IRFP260MPBF应用
  英飞凌IR MOSFET™采用先进的工艺制造技术，并以坚固耐用著称的MOSFET™设计，具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率，使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  对于更高功率要求的工业应用，TO-247比TO-220封装更加合适。他的隔离安装孔与之前的TO-218封装类似。TO-247与早期的TO-218封装相似，但由于其独立的安装孔而优于它。
 
IRFP260MPBF特性
先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175℃工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
易于并联
简单驱动要求
无铅
 
IRFP260MPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms
Vgs -栅极-源极电压:-±20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:156 nC
工作温度范围:- 55℃~+175℃
Pd-功率耗散:300 W
尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
正向跨导-最小值:27s
下降时间:48 ns
上升时间:60 ns
典型关闭延迟时间:55 ns
典型接通延迟时间:17 ns
单位重量:38 g
 
IRFP260MPBF电力特性

 
IRFP260MPBF特性曲线图  
 
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