IRFP4768PBF现货参数应用及PDF资料下载

  IRFP4768PBF N沟道MOSFET，93A 250V 14.5mΩ，TO-247封装。具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率。主要应用于开关电源、不间断电源和高频开关电路等。
 
IRFP4768PBF应用
SMPS高效同步整流技术
不间断电源
高速开关电源
硬开关高频电路
 
IRFP4768PBF特性
改进的门极、雪崩和动态dV/dt稳定性
充分表征电容和雪崩SOA
增强型体二极管dv/dt和di/dt能力
无铅，符合RoHS
 
IRFP4768PBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:250 V
Id-连续漏极电流:93 A
Rds On-漏源导通电阻:17.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:±20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:180 nC
工作温度范围:- 55℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:520 W
尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
正向跨导-最小值:100s
下降时间:110 ns
上升时间:160 ns
典型关闭延迟时间:57 ns
典型接通延迟时间:36 ns
单位重量:38g
 
IRFP4768PBF其他参数

 
IRFP4768PBF特性曲线图  
 
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